米半導体大手オンセミと中国系GaN専業メーカーのイノサイエンスは、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの生産拡大とグローバル展開加速に向けた覚書（MOU）を締結しました。2030年に約29億ドル規模（世界パワー半導体の約11％）と予測されるGaNパワーデバイス市場を共同で開拓し、両社で数億ドル規模の価値創出を見込む計画です。
提携では、イノサイエンスの200mm GaN-on-Si量産プロセスと大規模ウェハ製造能力を、オンセミのパッケージング技術やドライバIC、システムインテグレーションのノウハウと組み合わせます。これにより、40～200Vクラスを皮切りに低・中電圧GaN製品のポートフォリオを拡充し、AIデータセンター、産業機器、自動車、通信インフラ、家電・電動工具など幅広い用途へ展開を図ります。GaNはシリコンより高速スイッチングと低損失、小型化が可能な次世代パワー半導体で、2024～2030年の年平均成長率は42％と試算されています。
両社は協業によって、プロトタイプ開発から量産立ち上げまでの期間短縮と、部品点数削減・熱設計簡素化によるシステムコスト低減を狙います。オンセミは既存のシリコンおよびSiC（炭化ケイ素）製品にGaNを加えた「インテリジェントパワー」ポートフォリオを強化し、電動車や再生可能エネルギー、AIサーバー向けの電力変換システムでの存在感拡大を目指します。GaN製品のサンプル提供開始は2026年前半を予定しており、量産時期や最終的な提携スキームは今後の協議で固まる見通しです。
source: PR TIMES