Irresistible Materials, Ltd.（IM社）と東京応化工業（TOK）は2月24日、EUVリソグラフィ向けフォトレジストのイノベーション加速を目的に、TOKの戦略的投資と共同開発パートナーシップの締結を明らかにしました。IM社のMTR™（Multi-Trigger Resist）では、従来のポリマー系レジストに比べ分子サイズを最大10分の1に設計できるとしています。
EUVフォトレジストは、EUV（極端紫外線）を用いて微細な回路パターンを転写する材料です。微細化が進むほど、解像度と感度、線幅のばらつき（LER/LWR）低減などが同時に求められ、材料設計のトレードオフが課題になっています。両社はMTR™が低NA・高NAの双方を支援しうる点も踏まえ、共同開発と量産スケールアップを進めます。
枠組みでは、IM社の特許取得済みプラットフォームと、TOKの製造体制や市場での優位性を組み合わせ、事業化と顧客導入の拡大を狙います。IM社は出資を人材拡充や設備・材料・施設などインフラ強化に充て、ASMLやimecなどとの連携強化も進める方針です。PFAS／PFOSフリー、メタルフリーのフォトレジスト開発も並行します。
今後は、共同開発の進捗と量産立ち上げの速度が採用拡大の焦点になります。EUVデバイス製造のコスト削減につながるか、半導体メーカーや研究開発コミュニティでの評価が注目されます。
【イベント情報】
SPIE Advanced Lithography + Patterning Conference 論文発表: 「Advances by multi-trigger resist towards high resolution EUV lithography」
日時: 2月24日（火）午前8時40分～9時00分（PST）
会場: San Jose McEnery Convention Center、Room 210C
詳細URL: https://spie.org/advanced-lithography/presentation/Advances-by-multi-trigger-resist-towards-high-resolution-EUV-lithography/13983-14