京都先端科学大学（京都市右京区）は3月13日、ナガモリアクチュエータ研究所の松波弘之特任教授の日本学士院賞受賞が決まったと明らかにしました。評価対象は、炭化ケイ素（SiC）の高品質単結晶化技術「ステップ制御エピタキシー（SCE）法」の確立です。
松波氏は1968年に京都大学でSiC研究を開始し、1987年にSCE技術を発明しました。SiCは高耐電圧・高耐熱で電力損失が小さいパワー半導体に用いられ、電源や電力変換の高効率化に役立つ材料です。
大学側は、SCE法がSiCパワー半導体の開発を促進し、サーバー・ワークステーション電源、太陽光発電のパワーコンバータ、鉄道や電気自動車のインバータなどの実用・普及に寄与した点が受賞につながったとしています。日本学士院賞は明治43年創設で、特に優れた研究実績などを対象に贈られます。
今後は、受賞を機に若手研究者や技術者が新しい挑戦に踏み出す後押しになるかが注目されます。松波氏は「人と異なることをする勇気を持つきっかけになれば」との趣旨のコメントをしています。
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公式HP：https://www.kuas.ac.jp
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京都先端科学大学 松波 弘之特任教授が日本学士院賞受賞