イーディーピー（大阪府豊中市）と産総研は2026年2月2日、直径2インチ（50mm）のシリコンウエハと単結晶ダイヤモンドを接合する複合ウエハの製造技術に関する論文を発表しました。半導体製造装置で求められる2インチ以上のウエハに対応する狙いです。
同社は2025年2月に30mm×30mmの単結晶基板を商品化し、同年4月には直径25mmの1インチウエハを発売していました。一方、デバイス作製に用いられる半導体製造装置では直径2インチ以上が必要とされ、大型化が課題でした。
今回の技術では高温下で接合して熱による反り（熱変形）を低減し、半導体洗浄プロセス後も接合が化学的に安定であることを確認しました。さらに、接合したダイヤモンド上で縮小投影露光装置によるパターン描画が可能であることを実証し、半導体プロセスへの適用可能性を示しました。
今後は、複合ウエハ作製技術の知的財産権取得を共同で進め、残る課題の解決と量産体制の確立に取り組むとしています。
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