株式会社東レリサーチセンターは、2025年12月17日～19日に東京ビッグサイトで開催される国際半導体製造装置展「SEMICON Japan 2025」に出展し、最先端半導体デバイスや電子材料向けの分析技術事例を集中的に紹介します。会場は東京ビッグサイト東展示棟で、小間番号はE4908（APCSエリア）です。
同社は、東レ株式会社および東レエンジニアリング株式会社、東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社、東レ・プレシジョン株式会社と共同でブースを構えます。2025年4月に導入したICON-IRによる接着界面分析をはじめ、SiN膜中の欠陥を深さ方向に評価するESR法、GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）といった次世代パワー半導体材料の組成・欠陥解析、3次元構造体中の薄膜組成を高精度に測るマイクロRBSなど、多数の事例ポスターを展示します。
さらに、ALD-SiN膜の初期構造解析やトレンチ構造側壁の粗さ・汚染評価などプロセス最適化の事例、デバイスの発光特性や熱特性評価、SIMSやfsLA-ICP-MSによる三次元イメージングなど、製造から実装までをカバーする技術も紹介されます。欧州および中国拠点で提供する半導体・電子材料向け高度分析サービスも案内し、グローバル市場を意識した提案を行う構えです。
同展は半導体製造装置・材料分野の国内最大級イベントであり、脱炭素社会や次世代通信を支えるパワー半導体・先端ロジックへの関心が高まる中、同社ブースは材料選定やプロセス改善を検討する技術者の情報収集の場になりそうです。展示内容は今後変更される可能性がありますが、分析とシミュレーションを組み合わせた支援メニューの拡充が続けば、国内外メーカーとの連携強化につながると見込まれます。
【イベント情報】
SEMICON Japan 2025
会場 東京ビッグサイト 東展示棟
会期 2025年12月17日（水）～19日（金）
ブース 東展示棟 小間番号E4908（APCSエリア）
source: PR TIMES